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一种电沉积硅的方法张士宪
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一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2007年5月29日 本发明方法以熔盐电沉积出的硅作为渗硅的硅源，电沉积硅和硅在钼基体中扩散同时进行，具有梯度层厚度容易控制，工艺参数范围宽，易操作，材料表面结构致 Patent9专利在线摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 获取价格 一种电化学沉积制备膜电极的方法及其 一种电沉积硅的方法张士宪2023年3月10日 发明内容 本发明的目的是提供一种电沉积制备三维硅光子晶体的方法，解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题，本发明 电沉积制备三维硅光子晶体的方法百度文库
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熔盐电沉积硅的基础研究 百度学术
在FLINAKNa2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极,硅钢片为工作电极,石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究结 2008年3月14日 US 摘要： 本发明涉及包含电介质材料的硅的形成中改进的空隙填充沉积,其公开了一种用于在形成于衬底上的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法,其中,所 在含有电介质材料的硅形成中改进的空隙填充沉积 百度学术2019年9月27日 2020年9月15日 本研究提供了一种利用梯度电沉积高通量制备合金的方法。这种新方法的实例是快速筛选出适合锂离子电池的SnCoSb合金阳极。更重要的是，梯度 一种电沉积硅的方法张士宪2022年2月28日 这种电刺激通过氧化或还原靠近基底表面的溶液层内部的离子、 分子或配合物从而使该溶液层偏离其热力学平衡状态,随后引起目标产物在基底表面的沉积。在电沉 电子功能外延薄膜的电沉积 Xiamen University
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一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法
2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性 2014年10月5日 新型的沉积方法为电沉积法。 电沉积法涉及高温熔盐,但其所得渗硅层质量性能良好,很受国外工作者的欢迎。 本文介绍了各方法的影响因素,回顾了电沉积硅的历 电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网2020年12月11日 摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 一种制备氧化硅薄膜的方法 百度学术2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子 一种电沉积银的方法 X技术网
电沉积制备三维硅光子晶体的方法百度文库
2023年3月10日 电沉积制备三维硅光子晶体的方法电沉积 制备三维硅光子晶体的方法 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 本发明的目的是提供一种电沉积制备三维硅光子晶体的 方法，解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下 2023年3月2日 还有一种比较特殊的方法，即原子层沉积（ALD，Atomic Layer Deposition）。 前面说到的CVD和PVD两种方式，要么是通过气体的化学反应在晶圆表面沉积所需物质，要么是通过轰击离子束的物理过程沉积所需物质。ALD则与上述两种方式有所不同。如果想用 [半导体前端工艺：第五篇] 沉积——“更小、更多”，微细化的 2022年7月17日 邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压 一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳 2020年8月21日 一种沉积薄膜的方法 ，包括下列步骤： 在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积薄膜 上述沉积非晶硅膜的方法 适用于任意需要非晶硅薄膜的器件中，尤其是需要 以下非晶硅薄膜的器件中，这些器件对薄膜的质量要求更高。所述的器件 一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法与流程
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 2009年3月9日 PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池片硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网2019年4月23日 本发明涉及湿法冶金技术，具体涉及一种电沉积生产金属银的方法。背景技术银是导电性能最好的金属，可制成电线、箔片、涂层或者导电浆料。它还是重要的化学原料，可作为感光剂和多种氧化反应催化剂的活性成分。现代工业中银已是不可或缺的原材料，2014年全球消费量达到31万吨。作为价值 一种电沉积生产金属银的方法与流程2022年7月27日 化合积电采用PVD物理气相沉积工艺制备出高质量的氮化铝种子层，为有效生长高质量的氮化镓打下良好基础，同时，显著降低了射频损耗。这一重要研究成果，以“Low radio frequency loss and bufferfree GaN directly on 北京大学采用化合积电高质量氮化铝薄膜破解GaNonSi制备难题
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电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
2014年10月5日 电沉积硅技术的历史和发展趋势蔡宗英1,张莉霞1,李运刚2(1北京科技大学理化系,北京;2河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积2004年9月29日 摘要： 本发明提供一种在晶片上沉积氮化硅膜的制造方法首先提供一化学气相沉积系统,其包括管状炉管,连接至该炉管的基座部位的至少BTBAS供应管线,连接至炉管上端的出口管线,衔接BTBAS供应管线与出口管线的旁通管线,以及衔接出口管线的真空泵,其中旁通管线呈切断关闭状态;将一批次的晶片放置 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统 百度学术2017年5月23日 物硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究刘静静1，赵占霞1，张承龙，马忠权1（1上海大学理学院物理系，上海00444上海 因此通过电化学沉积技术在离子液体中电解硅业副产物四氯化硅制备硅薄膜是一种回收 SiCl 4 的经济有效的方法。 硅 硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究 道客巴巴2020年5月13日 但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰 教授（点击查看介绍）课题组 利用电化学沉积技术发展出了一种制备单原子催化剂的普适性方法。中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实现单原子
CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45，加入占 2023年12月9日 本申请涉及一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法，属于电化学领域。背景技术： 1、生物质基炭材料是极具发展前景的前沿新材料，具有独特的天然微结构、材料纯度高、功能多样性、且结构易调控等优点，广泛用在新能源、化工、医药、半导体等领域，支撑万亿级国家战略性新兴 一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法与流程本发明涉及元素检测技术领域，更具体地说，它涉及一种土壤和沉积物中硅的测定方法。背景技术自然界中，硅主要以二氧化硅、硅酸盐的形式存在，是农作物生长所需的重要营养元素之一，被国际土壤学界确认为继氮、磷、钾之后的第四中生长元素。因此，对于土壤中的硅含量的测定尤为重要 一种土壤和沉积物中硅的测定方法与流程一种高硅型硅质磷灰石的浮选方法 从含有氯硅烷的渣浆中分离硅粉的方法、系统及其用途 从铜冶炼渣浮选尾矿中回收铁的方法 一种硅渣破碎装置 一种从有机硅废触体中回收铜和硅粉的方法 一种从硅渣中浮选硅的方法 专利顾如 PatentGuru
一种基于电沉积法制备大面积钒酸铋薄膜的方法百度文库
2020年1月7日 一种基于电沉积法制备大面积钒酸铋薄膜的方法（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号 CNA（43）申请公布日 20200107（21）申请号CN28（22）申请日20190930（71）申请人清华大学地址 北京 2023年4月1日 博士生程钟灵为本文作者，张 海娇教授为通讯作者。 【主要内容】 1 从体相硅到多孔硅 如图1a所示，多孔硅材料在电化学储能应用中表现出比体相硅材料更多的结构优势。首先，多孔硅一般具有较大的比表面积和更多的电化学反应活性位点 综述上海大学张海娇团队AFM：多孔硅基锂离子电池负极材料 2020年9月11日 一种基于硅电子倍增器的 混合型大面积光电倍增管 文献类型：专利 作者 陈萍; 田进寿; 郭乐慧 玻璃外壳、光电阴极、聚焦电极、硅电子倍增器以及电极引线，所述玻璃外壳为真空腔体，光电阴极沉积于玻璃外壳的 入射端内表面，聚焦电极与 一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管2007年4月18日 摘要： 本发明公开了一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法,是采用电沉积一步成型直接把活性物质,导电剂,粘结剂沉积在基体上其制备方法,步:配制电沉积溶液;第二步:除去基体表面的氧化层;第三步:将经第二步处理后的基体浸入步已配制好的电沉积水溶液中开始电沉积氢氧化镍材料;第 一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法 百度学术
一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法*
2013年7月25日 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法 利用激光干涉光刻技术, 结合干法和湿法刻蚀工艺, 直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构, 省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤, 在2 英寸2019年2月15日 本发明涉及半导体技术领域，具体讲是一种高介电常数的硅掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其产物。背景技术在半导体工业中，存储器和逻辑器件是其最重要的组成部分，而介电材料在这两种器件中又属核心，因此，在一定程度上，半导体的进一步发展有赖于介电材料的进一步突破。如：在动态随机 一种高介电常数的硅掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其产物 2015年4月15日 一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利]发明内容 [0003] 为解决上述现有技术缺陷，本发明的目的在于提供用于氮化硅沉积的磁控溅射镀 膜设备及镀膜方法，本设备采用前三级缓冲室、后三级缓冲室以及一个三阶段镀膜室 一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利]2022年10月28日 1一种从硅渣中浮选硅的方法，其特征在于，步骤如下：(1)将硅渣通过辊轮破碎的方式破碎至008‑05mm，(2)将破碎后的硅渣用水进行脱泥洗涤、过滤备用，(3)将洗涤后的硅渣置于NaOH溶液中，于搅拌状态下浸渍1‑2h,浸渍温度为0‑30℃；(4)将浸渍后的硅渣捞出，‑1 并用清水冲洗，后将硅渣置于01‑5mol 一种从硅渣中浮选硅的方法专利检索浮选选择性沉积法专利
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一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
2013年1月22日 摘要： 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合,混合后的气体进入混合气体温度 2019年11月22日 一种分散在多孔碳上的碳包覆硅负极的制备及应用 胡倩倩 1,2,3, 长世勇 1, 张灵志 2,3, 曹树彬 1, 董海勇 1, 高振宇 1, 洪晔 1† 1 广州汽车集团股份有限公司汽车工程研究院,广州 ; 2 中国科学院广州能源研究所,广州 ; 3 中国科学院大学一种分散在多孔碳上的碳包覆硅负极的制备及应用 GIEC本专利由长沙矿冶研究院有限责任公司申请，公开，专利查询、专利下载就上专利顾如 国知局任何相关业务专用函(通知书，专利证书)都可以，平均1小时内审核通过一种纳米均质结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用2023年12月19日 该技术可以在电池片的正反面进行快速的选择性沉积,提高栅极与衬底的结合力的同时也降低了电阻率,并且利用铜替代银,大大降低了太阳电池的成本。 本文总结了电化学沉积法制备晶体硅太阳电池片栅极的研究现状和发展趋势,同时介绍了未来该项技术在推广和应用中存在的机遇与挑战。晶体硅太阳电池的电化学沉积金属化技术研究进展
非晶态纳米硅粉制备方法综述 cip
2021年10月2日 热化学气相沉积(TCVD)是一种利用电阻加热、高频感应加热和辐射加热在常压或低压下以一定温度发生化学反应生成薄膜或者粉体的技术 [2731]利用稀释的硅烷为原料，在一定温度下使硅烷发生分解反应，从而制备晶体硅和非晶硅杨红等 [28] 在真空环境中 2017年3月3日 澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院的Adnan Younis和Dewei Chu利用一种简便、高效、经济的电化学沉积方法合成了 Mn3O4薄膜并应用与超级电容器电极材料。通过前驱体浓度和沉积时间 一步无模板电化学沉积方法制备Mn3O4纳米结构用 2012年3月6日 种方法 是测量吸潮前和完全吸潮后的折射 率狀f和狀 f，应用方程 狀f＝（1－狆）狀 表1 不同沉积温度下的一氧化硅 薄膜的光学 厚度变化和聚集密度 犜犪犫犾犲1 犜犺犲狅狆狋犻犮犪犾狋犺犻犮犽狀犲狊狊犪狀犱狆犪犮犽犻狀犵犱犲狀狊 沉积温度对一氧化硅薄膜聚集密度的影响 Researching2023年10月12日 一种高产能alsi或alsicu薄膜的沉积方法技术领域本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种高产能alsi或alsicu薄膜的沉积方法。背景技术半导体器件生产中，al常用被用做金属连线，但存在铝钉和电迁移现象，影响器件的稳定性。si与al形成的合金可以保证硅在al中饱和而有效抑制铝钉现象的发生，cu 一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法与流程 X技术网
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一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件 PatentGuru
2023年7月6日 本申请涉及半导体领域，公开了一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件，包括：绝缘体上硅衬底；绝缘体上硅衬底包括由下至上层叠的基底、绝缘层和单晶硅层；设于单晶硅层区域的集成光路部件；设于基底区域的集成电路部件；硅通孔；在绝缘体上硅衬底的厚度方向上，硅通孔贯通2020年11月9日 非晶态纳米硅粉通过将硅颗粒纳米化与非晶化，可显著改善机械稳定性和电化学稳定性，其有效的制备方法 对于改善锂离子电池的各项性能具有重要意义。非晶态纳米硅粉的制备有以下几种方法：用还原性强的金属或非金属还原硅氧化物或卤化物 非晶态纳米硅粉制备方法综述 cip用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。沉积薄膜的ZnO粒径尺寸分别为9 8,10 4,14 5nm,随着ZnCl2浓度的增加一种新的制备ZnO纳米粒子的方法——阴极电沉积法 百度学术2015年1月7日 本发明提供一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，包括进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上沉积DCSSIN层。本发明改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，有效解决了HCD氮化 改善hcd氮化硅沉积工艺的应力缺陷的方法 X技术网
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一种电沉积银的方法 百度学术
2022年1月20日 摘要： 本发明涉及电沉积技术领域,具体而言,涉及一种电沉积银的方法所述电沉积银的方法包括:将基体置于电解液中,采用恒电位法进行电沉积,得到银镀层;其中,所述电解液包括低共熔离子液体,添加剂和银源;所述添加剂包括氯盐,含氮杂环化合物和胺类化合物中的至少一种本发明提供的电沉积银的 2023年12月20日 还有一种比较特殊的方法 ，即 原子层沉积（ALD，Atomic Layer Deposition）。前面说到的CVD和PVD两种方式，要么是通过气体的化学反应在晶圆表面沉积所需物质，要么是通过轰击离子束的物理过程沉积所需物质。ALD则与上述两种方式有所不同 半导体前端工艺｜第五篇：沉积——“更小、更多”，微细化的关键2020年12月11日 摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 一种制备氧化硅薄膜的方法 百度学术2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子 一种电沉积银的方法 X技术网
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电沉积制备三维硅光子晶体的方法百度文库
2023年3月10日 电沉积制备三维硅光子晶体的方法电沉积 制备三维硅光子晶体的方法 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 本发明的目的是提供一种电沉积制备三维硅光子晶体的 方法，解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下 2023年3月2日 还有一种比较特殊的方法，即原子层沉积（ALD，Atomic Layer Deposition）。 前面说到的CVD和PVD两种方式，要么是通过气体的化学反应在晶圆表面沉积所需物质，要么是通过轰击离子束的物理过程沉积所需物质。ALD则与上述两种方式有所不同。如果想用 [半导体前端工艺：第五篇] 沉积——“更小、更多”，微细化的 2022年7月17日 邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压 一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳 2020年8月21日 一种沉积薄膜的方法 ，包括下列步骤： 在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积薄膜 上述沉积非晶硅膜的方法 适用于任意需要非晶硅薄膜的器件中，尤其是需要 以下非晶硅薄膜的器件中，这些器件对薄膜的质量要求更高。所述的器件 一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法与流程
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 2009年3月9日 PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池片硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网2019年4月23日 本发明涉及湿法冶金技术，具体涉及一种电沉积生产金属银的方法。背景技术银是导电性能最好的金属，可制成电线、箔片、涂层或者导电浆料。它还是重要的化学原料，可作为感光剂和多种氧化反应催化剂的活性成分。现代工业中银已是不可或缺的原材料，2014年全球消费量达到31万吨。作为价值 一种电沉积生产金属银的方法与流程2022年7月27日 化合积电采用PVD物理气相沉积工艺制备出高质量的氮化铝种子层，为有效生长高质量的氮化镓打下良好基础，同时，显著降低了射频损耗。这一重要研究成果，以“Low radio frequency loss and bufferfree GaN directly on 北京大学采用化合积电高质量氮化铝薄膜破解GaNonSi制备难题